HL8205
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
HL8205
工艺:沟槽， 类型:N+N， 漏源电压(Vdss) (V):20， 阈值电压VGS:±12， Vth(V):0.4～1， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):20/26， 连续漏极电流ID(A):6A
品牌
HL
封装
SOT-23-6L
库存
2,350
货期
现货
HL8205参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2350 |
HL8205概述
工艺:沟槽， 类型:N+N， 漏源电压(Vdss) (V):20， 阈值电压VGS:±12， Vth(V):0.4～1， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):20/26， 连续漏极电流ID(A):6A
HL8205特性
暂无产品特性。
HL8205应用领域
暂无应用领域。