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HL7002KD
IC

DFN1006-3L

可供量大可议

HL7002KD

N沟道MOSFET, 具备快速开关、低栅极电荷和低反向传输电容特性, 适用于负载开关和PWM应用

品牌

R+O

封装

DFN1006-3L

库存

9,520

货期

现货

HL7002KD参数

封装DFN1006-3L
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存9520

HL7002KD概述

N沟道MOSFET, 具备快速开关、低栅极电荷和低反向传输电容特性, 适用于负载开关和PWM应用

HL7002KD特性

暂无产品特性。

HL7002KD应用领域

暂无应用领域。

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