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HL3134KDA
IC

DFN1006-3L

可供量大可议

HL3134KDA

N沟道MOSFET, 具备ESD保护、无卤无锑, 适用于负载开关、PWM应用和电源管理

品牌

R+O

封装

DFN1006-3L

库存

53,040

货期

现货

HL3134KDA参数

封装DFN1006-3L
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存53040

HL3134KDA概述

N沟道MOSFET, 具备ESD保护、无卤无锑, 适用于负载开关、PWM应用和电源管理

HL3134KDA特性

暂无产品特性。

HL3134KDA应用领域

暂无应用领域。

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