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HL2319
IC

SOT-23

可供量大可议

HL2319

P沟道MOSFET, 采用沟槽技术, 低栅极电阻, 散热良好, 适用于电源开关和高频电路

品牌

R+O

封装

SOT-23

库存

8,160

货期

现货

HL2319参数

封装SOT-23
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存8160

HL2319概述

P沟道MOSFET, 采用沟槽技术, 低栅极电阻, 散热良好, 适用于电源开关和高频电路

HL2319特性

暂无产品特性。

HL2319应用领域

暂无应用领域。

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