HL2312
IC
SOT-23
可供量大可议
HL2312
特性：VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：电池供电系统。 固态继电器
品牌
R+O
封装
SOT-23
库存
17,440
货期
现货
HL2312参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17440 |
HL2312概述
特性：VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：电池供电系统。 固态继电器
HL2312特性
暂无产品特性。
HL2312应用领域
暂无应用领域。