HL2304
IC
SOT-23
可供量大可议
HL2304
特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
SOT-23
库存
44,880
货期
现货
HL2304参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44880 |
HL2304概述
特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池保护。 负载开关
HL2304特性
暂无产品特性。
HL2304应用领域
暂无应用领域。