HL2303
IC
SOT-23
可供量大可议
HL2303
特性：VDSS = -30V。 I₀ = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池供电系统。 固态继电器
品牌
R+O
封装
SOT-23
库存
407,200
货期
现货
HL2303参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 407200 |
HL2303概述
特性：VDSS = -30V。 I₀ = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池供电系统。 固态继电器
HL2303特性
暂无产品特性。
HL2303应用领域
暂无应用领域。