HL2300
IC
SOT-23
可供量大可议
HL2300
特性：VDSS = 20V。 I₀ = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
SOT-23
库存
375,000
货期
现货
HL2300参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 375000 |
HL2300概述
特性：VDSS = 20V。 I₀ = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池保护。 负载开关
HL2300特性
暂无产品特性。
HL2300应用领域
暂无应用领域。