HKTQ30N03
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
HKTQ30N03
HKTQ30N03采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于多种场合。
品牌
HKT
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
4,845
货期
现货
HKTQ30N03参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4845 |
HKTQ30N03概述
HKTQ30N03采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于多种场合。
HKTQ30N03特性
暂无产品特性。
HKTQ30N03应用领域
暂无应用领域。