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HKTG90N03
IC

PDFN5x6-8

可供量大可议

HKTG90N03

特性:低导通电阻。 快速开关速度。 易于设计驱动电路。 易于并联

品牌

HKT

封装

PDFN5x6-8

库存

19,220

货期

现货

HKTG90N03参数

封装PDFN5x6-8
品牌HKT(合科泰)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)90W
输入电容(Ciss)2nF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存19220
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
反向传输电容(Crss)240pF

HKTG90N03概述

场效应管(MOSFET) 30V 90A 1个N沟道

HKTG90N03特性

暂无产品特性。

HKTG90N03应用领域

暂无应用领域。

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