HKTD80N03
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD80N03
特性：VDS：30V Max. ID：80A Max. RDS(ON)：6 mΩ(max. )@VGS = 10V, ID = 30A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
2,185
货期
现货
HKTD80N03参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2185 |
HKTD80N03概述
特性：VDS：30V Max. ID：80A Max. RDS(ON)：6 mΩ(max. )@VGS = 10V, ID = 30A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流
HKTD80N03特性
暂无产品特性。
HKTD80N03应用领域
暂无应用领域。