HKTD7N65
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD7N65
特性：VDS：650V 最大， ID：7A 最大。 RDS(ON)：1.3Ω（最大）@VGS = 10V， ID = 1A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
2,380
货期
现货
HKTD7N65参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2380 |
HKTD7N65概述
特性：VDS：650V 最大， ID：7A 最大。 RDS(ON)：1.3Ω（最大）@VGS = 10V， ID = 1A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
HKTD7N65特性
暂无产品特性。
HKTD7N65应用领域
暂无应用领域。