HKTD70N04
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD70N04
特性：VDS：最大40V， ID：最大70A。 RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 15A时， 最大9.5mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
610
货期
现货
HKTD70N04参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 610 |
HKTD70N04概述
特性：VDS：最大40V， ID：最大70A。 RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 15A时， 最大9.5mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
HKTD70N04特性
暂无产品特性。
HKTD70N04应用领域
暂无应用领域。