HKTD5N20
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD5N20
特性：VDS：最小200V， ID：最大5A。 RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 2.5A时最大0.6Ω。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
1,090
货期
现货
HKTD5N20参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1090 |
HKTD5N20概述
特性：VDS：最小200V， ID：最大5A。 RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 2.5A时最大0.6Ω。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征
HKTD5N20特性
暂无产品特性。
HKTD5N20应用领域
暂无应用领域。