HKTD50N06
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD50N06
特性：VDS：60V Min， ID：50A Max。 RDS(ON)：17mΩ(max. )@VGS=10V， ID=20A。 RDS(ON)：23mΩ(max. )@VGS=4.5V， ID=20A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
1,655
货期
现货
HKTD50N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1655 |
HKTD50N06概述
特性：VDS：60V Min， ID：50A Max。 RDS(ON)：17mΩ(max. )@VGS=10V， ID=20A。 RDS(ON)：23mΩ(max. )@VGS=4.5V， ID=20A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
HKTD50N06特性
暂无产品特性。
HKTD50N06应用领域
暂无应用领域。