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HKTD50N03
IC

TO-252

可供量大可议

HKTD50N03

特性:VDS = 30V, RDS(ON) ≤ 8.5mΩ(VGS = 10V 时), ID = 20A。 超低导通电阻。 表面贴装器件。 应用:低功耗 DC-DC 转换器应用。 负载开关应用

品牌

HKT

封装

TO-252

库存

1,915

货期

现货

HKTD50N03参数

封装TO-252
品牌HKT(合科泰)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1915

HKTD50N03概述

特性:VDS = 30V, RDS(ON) ≤ 8.5mΩ(VGS = 10V 时), ID = 20A。 超低导通电阻。 表面贴装器件。 应用:低功耗 DC-DC 转换器应用。 负载开关应用

HKTD50N03特性

暂无产品特性。

HKTD50N03应用领域

暂无应用领域。

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