HKTD4N65
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD4N65
特性：VDS：650V Max. ID：4A Max. RDS(ON)：2.6Ω (max. ) @VGS = 10V, ID = 1A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
2,360
货期
现货
HKTD4N65参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2360 |
HKTD4N65概述
特性：VDS：650V Max. ID：4A Max. RDS(ON)：2.6Ω (max. ) @VGS = 10V, ID = 1A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
HKTD4N65特性
暂无产品特性。
HKTD4N65应用领域
暂无应用领域。