HKTD4N50
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD4N50
特性：VDS：500V Max. ID：5A Max. RDS(ON)：1.7Ω (max. )@VGS = 10V, ID = 1A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
1,785
货期
现货
HKTD4N50参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1785 |
HKTD4N50概述
特性：VDS：500V Max. ID：5A Max. RDS(ON)：1.7Ω (max. )@VGS = 10V, ID = 1A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
HKTD4N50特性
暂无产品特性。
HKTD4N50应用领域
暂无应用领域。