HKTD20N06
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD20N06
特性：VDS：60V Max. ID：20A Max. RDS(ON)：37mΩ(max. )@VGS=10V， ID=10A。 RDS(ON)：48mΩ(max. )@VGS=5V， ID=5A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
165
货期
现货
HKTD20N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
HKTD20N06概述
特性：VDS：60V Max. ID：20A Max. RDS(ON)：37mΩ(max. )@VGS=10V， ID=10A。 RDS(ON)：48mΩ(max. )@VGS=5V， ID=5A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
HKTD20N06特性
暂无产品特性。
HKTD20N06应用领域
暂无应用领域。