HKTD15N10
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD15N10
特性：VDS：100V Max. ID：15A Max. RDS(ON)：100mΩ (max. ) @ VDS = 10V, ID = 10A。 RDS(ON)：110mΩ (max. ) @ VDS = 4.5V, ID = 10A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
2,195
货期
现货
HKTD15N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2195 |
HKTD15N10概述
特性：VDS：100V Max. ID：15A Max. RDS(ON)：100mΩ (max. ) @ VDS = 10V, ID = 10A。 RDS(ON)：110mΩ (max. ) @ VDS = 4.5V, ID = 10A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
HKTD15N10特性
暂无产品特性。
HKTD15N10应用领域
暂无应用领域。