HKTD120N04
IC
TO-252
可供量大可议
HKTD120N04
特性：VDS: 40V Max. ID: 120A Max. RDS(ON):2.6mΩ(max. )@VGS=10V, ID=50A。 RDS(ON):3.5mΩ(max. )@VGS=4.5V, ID=50A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
品牌
HKT
封装
TO-252
库存
4,800
货期
现货
HKTD120N04参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HKT(合科泰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4800 |
HKTD120N04概述
特性：VDS: 40V Max. ID: 120A Max. RDS(ON):2.6mΩ(max. )@VGS=10V, ID=50A。 RDS(ON):3.5mΩ(max. )@VGS=4.5V, ID=50A。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
HKTD120N04特性
暂无产品特性。
HKTD120N04应用领域
暂无应用领域。