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HKRC860U
IC

SOT-363

可供量大可议

HKRC860U

这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置, 具有50V的集射极击穿电压(Vceo), 支持最大100mA的集电极电流(Ic), 以及150mW的功率耗散(Pd)。 适用于构建紧凑型电子电路, 在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。 其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

35

货期

现货

HKRC860U参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类数字晶体管
库存35

HKRC860U概述

这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置, 具有50V的集射极击穿电压(Vceo), 支持最大100mA的集电极电流(Ic), 以及150mW的功率耗散(Pd)。 适用于构建紧凑型电子电路, 在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。 其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。

HKRC860U特性

暂无产品特性。

HKRC860U应用领域

暂无应用领域。

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