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HK12N030SG
IC

TOLL-8

可供量大可议

HK12N030SG

N沟道MOSFET, 具有低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度, 采用先进的分裂栅沟槽技术, 适用于高速功率开关、DC-DC转换器和电源管理

品牌

R+O

封装

TOLL-8

库存

21,257

货期

现货

HK12N030SG参数

封装TOLL-8
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存21257

HK12N030SG概述

N沟道MOSFET, 具有低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度, 采用先进的分裂栅沟槽技术, 适用于高速功率开关、DC-DC转换器和电源管理

HK12N030SG特性

暂无产品特性。

HK12N030SG应用领域

暂无应用领域。

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