HJ8205
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
HJ8205
特性：VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：电池供电系统。 负载开关
品牌
R+O
封装
SOT-23-6L
库存
49,560
货期
现货
HJ8205参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49560 |
HJ8205概述
特性：VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：电池供电系统。 负载开关
HJ8205特性
暂无产品特性。
HJ8205应用领域
暂无应用领域。