HIRLML6346TRPBF

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID）， 以及30V的最大漏源电压（VDSS）， 能够在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。 其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧， 使得在导通状态下电力损耗较小。 此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件， 尤其适合需要高效能转换的应用场合， 如便携式电子产品中的电源管理模块， 或者消费类电子产品内的信号处理单元。