HIRL530NSPbF

这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达15A的连续漏极电流， 具备100V的漏源电压承受能力。 其导通电阻为100毫欧姆， 确保了较低的功耗和良好的热性能。 该器件可在不超过20V的栅源电压下稳定工作， 适用于多种电子设备中的高效开关与电源管理应用。 凭借其优异的电气特性和可靠性， 这款MOSFET适合用于需要高性能、低损耗解决方案的小型至中型电子产品设计中。