HIRFZ48SPBF
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
HIRFZ48SPBF
这款N沟道MOSFET具备49A的连续漏极电流（ID）承载能力， 以及55V的最大漏源耐压（VDSS）， 适用于高功率密度的设计需求。 其低至9毫欧的导通电阻（RDSON）有效降低了导通状态下的功耗， 优化了电路效率。 栅源电压（VGS）最高可达20V， 提供了灵活的驱动条件。 该MOSFET适合用于高性能要求的开关电源、DC/DC转换器以及其他对效率敏感的应用中， 能够帮助实现更紧凑、高效的电子设计方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263(D2PAK)
库存
6
货期
现货
HIRFZ48SPBF参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
HIRFZ48SPBF概述
这款N沟道MOSFET具备49A的连续漏极电流（ID）承载能力， 以及55V的最大漏源耐压（VDSS）， 适用于高功率密度的设计需求。 其低至9毫欧的导通电阻（RDSON）有效降低了导通状态下的功耗， 优化了电路效率。 栅源电压（VGS）最高可达20V， 提供了灵活的驱动条件。 该MOSFET适合用于高性能要求的开关电源、DC/DC转换器以及其他对效率敏感的应用中， 能够帮助实现更紧凑、高效的电子设计方案。
HIRFZ48SPBF特性
暂无产品特性。
HIRFZ48SPBF应用领域
暂无应用领域。