HIRFZ44NSTRLPBF
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
HIRFZ44NSTRLPBF
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID/A）， 能够承受高达55V的漏源电压（VDSS/V）。 其导通电阻（RDSON）仅为9毫欧（mΩ）， 有助于降低功耗， 在高负载条件下依然保持高效能。 该器件支持最大±20V的栅源电压（VGS/V）， 增强了操作灵活性。 适用于消费电子产品中的电源转换与管理， 以及便携设备中的负载开关等功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263(D2PAK)
库存
28
货期
现货
HIRFZ44NSTRLPBF参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
HIRFZ44NSTRLPBF概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID/A）， 能够承受高达55V的漏源电压（VDSS/V）。 其导通电阻（RDSON）仅为9毫欧（mΩ）， 有助于降低功耗， 在高负载条件下依然保持高效能。 该器件支持最大±20V的栅源电压（VGS/V）， 增强了操作灵活性。 适用于消费电子产品中的电源转换与管理， 以及便携设备中的负载开关等功能。
HIRFZ44NSTRLPBF特性
暂无产品特性。
HIRFZ44NSTRLPBF应用领域
暂无应用领域。