HIRF7240TRPBF

该款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型， 其最大漏源电流（ID/A）可达13A， 在保证安全使用的前提下， 能承受的最大漏源电压（VDSS/V）为40V。 在导通状态下， 其导通电阻（RDSON/mR）仅为14毫欧， 有助于减少能量损耗。 此MOSFET要求栅源电压（VGS/V）范围为±20V， 以确保正常操作。 适用于多种电路设计中作为开关或放大元件使用。