HIPD650P06NM
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HIPD650P06NM
本款P沟道场效应管（MOSFET）， 标称电流为20A， 最大漏源极间电压(VDSS)达到60V， 导通电阻(RDS(on))为55毫欧， 并能在最高20V的栅源极电压(VGS)下稳定工作。 这些特性使其成为电源转换、信号调制等应用的理想选择， 特别适用于需要快速响应和高效能表现的电路设计中。 其出色的电气性能和可靠性， 能够满足各种精密电子设备的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
102
货期
现货
HIPD650P06NM参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 102 |
HIPD650P06NM概述
本款P沟道场效应管（MOSFET）， 标称电流为20A， 最大漏源极间电压(VDSS)达到60V， 导通电阻(RDS(on))为55毫欧， 并能在最高20V的栅源极电压(VGS)下稳定工作。 这些特性使其成为电源转换、信号调制等应用的理想选择， 特别适用于需要快速响应和高效能表现的电路设计中。 其出色的电气性能和可靠性， 能够满足各种精密电子设备的需求。
HIPD650P06NM特性
暂无产品特性。
HIPD650P06NM应用领域
暂无应用领域。