HIPD50N06S4L12ATMA2

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续排水电流（ID）， 能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。 其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧， 在20V的栅源电压（VGS）下能有效降低功耗。 该MOSFET适用于需要高效能与可靠性的电子设计中， 如电源管理、便携式设备的电源开关以及适配器中的开关应用等。 其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电路的理想选择。