HIPD220N06L3G
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HIPD220N06L3G
这款N沟道MOSFET具备50A的最大漏极电流(ID)和60V的漏源极断态电压(VDSS)， 其导通电阻(RDS(on))仅为15毫欧， 同时支持最高20V的栅源极电压(VGS)。 这些特点使其非常适合应用于需要处理大电流和高效率转换的场合， 例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备中的开关电源设计。 其卓越的性能有助于减少能耗， 提高系统整体的可靠性和稳定性。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
65
货期
现货
HIPD220N06L3GParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
HIPD220N06L3G概述
这款N沟道MOSFET具备50A的最大漏极电流(ID)和60V的漏源极断态电压(VDSS)， 其导通电阻(RDS(on))仅为15毫欧， 同时支持最高20V的栅源极电压(VGS)。 这些特点使其非常适合应用于需要处理大电流和高效率转换的场合， 例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备中的开关电源设计。 其卓越的性能有助于减少能耗， 提高系统整体的可靠性和稳定性。
HIPD220N06L3G特性
暂无产品特性。
HIPD220N06L3G应用领域
暂无应用领域。