HIPD068P03L3GATMA1
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HIPD068P03L3GATMA1
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大连续漏极电流（ID）， 能够在高达30V的漏源电压（VDSS）下工作。 其导通电阻（RDSON）仅为5.5毫欧， 在25V的栅源电压（VGS）驱动下能确保低功耗和高效率。 这类器件适用于需要高效能电源管理的应用中， 如消费电子产品中的开关电源转换器及电池供电设备中的负载开关等。 其紧凑的设计与优异的热性能使其成为便携式与空间受限应用的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
16
货期
现货
HIPD068P03L3GATMA1参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
HIPD068P03L3GATMA1概述
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大连续漏极电流（ID）， 能够在高达30V的漏源电压（VDSS）下工作。 其导通电阻（RDSON）仅为5.5毫欧， 在25V的栅源电压（VGS）驱动下能确保低功耗和高效率。 这类器件适用于需要高效能电源管理的应用中， 如消费电子产品中的开关电源转换器及电池供电设备中的负载开关等。 其紧凑的设计与优异的热性能使其成为便携式与空间受限应用的理想选择。
HIPD068P03L3GATMA1特性
暂无产品特性。
HIPD068P03L3GATMA1应用领域
暂无应用领域。