HINN700TK240B

本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）， 属于N沟道增强型器件， 具备出色的高频开关特性和低导通损耗。 主要参数包括：漏极电流ID为10A， 漏源电压VDSS最高可达700V， 导通电阻RDON为160mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 该晶体管可广泛应用于消费类电子产品、高性能电源适配器、无线充电系统以及小型化电机驱动电路中， 满足对空间与效率有较高要求的设计场景。