HINN700TK190B
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HINN700TK190B
本产品为高性能氮化镓晶体管（GaN HEMT）， 采用N沟道结构， 具备优异的导通与开关特性。 主要参数包括：最大漏极电流ID为10A， 漏源击穿电压VDSS高达700V， 导通电阻RDON低至160mΩ， 可支持高效率、高频率的电力转换应用。 该器件适用于电源适配器、无线充电、LED驱动及通信设备等领域的功率管理场景， 提供紧凑设计与高效能表现的基础支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
1,629
货期
现货
HINN700TK190B参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 1629 |
HINN700TK190B概述
本产品为高性能氮化镓晶体管（GaN HEMT）， 采用N沟道结构， 具备优异的导通与开关特性。 主要参数包括：最大漏极电流ID为10A， 漏源击穿电压VDSS高达700V， 导通电阻RDON低至160mΩ， 可支持高效率、高频率的电力转换应用。 该器件适用于电源适配器、无线充电、LED驱动及通信设备等领域的功率管理场景， 提供紧凑设计与高效能表现的基础支持。
HINN700TK190B特性
暂无产品特性。
HINN700TK190B应用领域
暂无应用领域。