HIGLR65R140D2

这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)， 导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)， 能够在高电压下保持较低的功耗。 其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)， 适用于N型电路设计。 该器件以其优异的开关性能和低损耗特性， 非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。