HIDM02G120C5
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HIDM02G120C5
这款碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF), 并支持高达1200V的反向电压(VR), 适用于需要高电压隔离的应用。 其正向电压(VF)为1.4V, 有效降低了导通时的能量损失。 反向漏电流(IR)仅为8微安, 在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。 瞬态正向电流能力(IFSM)为24A, 使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。 这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
101
货期
现货
HIDM02G120C5参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 101 |
HIDM02G120C5概述
这款碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF), 并支持高达1200V的反向电压(VR), 适用于需要高电压隔离的应用。 其正向电压(VF)为1.4V, 有效降低了导通时的能量损失。 反向漏电流(IR)仅为8微安, 在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。 瞬态正向电流能力(IFSM)为24A, 使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。 这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。
HIDM02G120C5特性
暂无产品特性。
HIDM02G120C5应用领域
暂无应用领域。
