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HIDM02G120C5
IC

TO-252-2L(DPAK)

可供量大可议

HIDM02G120C5

这款碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF), 并支持高达1200V的反向电压(VR), 适用于需要高电压隔离的应用。 其正向电压(VF)为1.4V, 有效降低了导通时的能量损失。 反向漏电流(IR)仅为8微安, 在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。 瞬态正向电流能力(IFSM)为24A, 使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。 这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L(DPAK)

库存

101

货期

现货

HIDM02G120C5参数

封装TO-252-2L(DPAK)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存101

HIDM02G120C5概述

这款碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF), 并支持高达1200V的反向电压(VR), 适用于需要高电压隔离的应用。 其正向电压(VF)为1.4V, 有效降低了导通时的能量损失。 反向漏电流(IR)仅为8微安, 在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。 瞬态正向电流能力(IFSM)为24A, 使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。 这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。

HIDM02G120C5特性

暂无产品特性。

HIDM02G120C5应用领域

暂无应用领域。

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