HIDK12G65C5
IC
TO-263
可供量大可议
HIDK12G65C5
此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流(IF/A), 可承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.3伏特, 在确保高效能的同时降低了功耗。 反向漏电流(IR/uA)为50微安, 体现了优异的绝缘特性。 该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流(IFSM/A), 适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合, 能有效提升系统的整体效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
36
货期
现货
HIDK12G65C5参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 36 |
HIDK12G65C5概述
此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流(IF/A), 可承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.3伏特, 在确保高效能的同时降低了功耗。 反向漏电流(IR/uA)为50微安, 体现了优异的绝缘特性。 该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流(IFSM/A), 适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合, 能有效提升系统的整体效率与可靠性。
HIDK12G65C5特性
暂无产品特性。
HIDK12G65C5应用领域
暂无应用领域。
