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HIDK12G65C5
IC

TO-263

可供量大可议

HIDK12G65C5

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流(IF/A), 可承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.3伏特, 在确保高效能的同时降低了功耗。 反向漏电流(IR/uA)为50微安, 体现了优异的绝缘特性。 该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流(IFSM/A), 适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合, 能有效提升系统的整体效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

36

货期

现货

HIDK12G65C5参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存36

HIDK12G65C5概述

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流(IF/A), 可承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.3伏特, 在确保高效能的同时降低了功耗。 反向漏电流(IR/uA)为50微安, 体现了优异的绝缘特性。 该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流(IFSM/A), 适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合, 能有效提升系统的整体效率与可靠性。

HIDK12G65C5特性

暂无产品特性。

HIDK12G65C5应用领域

暂无应用领域。

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