HIDK10G65C5XTMA2

这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力， 并能承受650伏特的反向电压（VR）。 其正向电压降（VF）为1.3伏特， 有助于提升电路效率。 反向漏电流（IR）控制在50微安以内， 展现了良好的阻断性能。 此外， 瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培， 适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中， 如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。