HIDH04G65C6XKSA1
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
HIDH04G65C6XKSA1
这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流(IF), 可承受高达650伏特的反向电压(VR), 确保了其在高压条件下的稳定表现。 该二极管的正向电压(VF)为1.3伏特, 在导通状态下能够减少电力损耗。 反向电流(IR)仅为50微安, 体现了出色的绝缘性能。 同时, 它还拥有23安培的最大正向浪涌电流(IFSM), 能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。 这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择, 适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
12
货期
现货
HIDH04G65C6XKSA1参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 12 |
HIDH04G65C6XKSA1概述
这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流(IF), 可承受高达650伏特的反向电压(VR), 确保了其在高压条件下的稳定表现。 该二极管的正向电压(VF)为1.3伏特, 在导通状态下能够减少电力损耗。 反向电流(IR)仅为50微安, 体现了出色的绝缘性能。 同时, 它还拥有23安培的最大正向浪涌电流(IFSM), 能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。 这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择, 适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。
HIDH04G65C6XKSA1特性
暂无产品特性。
HIDH04G65C6XKSA1应用领域
暂无应用领域。
