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HIDH04G65C6XKSA1
IC

TO-220H-2L

可供量大可议

HIDH04G65C6XKSA1

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流(IF), 可承受高达650伏特的反向电压(VR), 确保了其在高压条件下的稳定表现。 该二极管的正向电压(VF)为1.3伏特, 在导通状态下能够减少电力损耗。 反向电流(IR)仅为50微安, 体现了出色的绝缘性能。 同时, 它还拥有23安培的最大正向浪涌电流(IFSM), 能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。 这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择, 适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220H-2L

库存

12

货期

现货

HIDH04G65C6XKSA1参数

封装TO-220H-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存12

HIDH04G65C6XKSA1概述

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流(IF), 可承受高达650伏特的反向电压(VR), 确保了其在高压条件下的稳定表现。 该二极管的正向电压(VF)为1.3伏特, 在导通状态下能够减少电力损耗。 反向电流(IR)仅为50微安, 体现了出色的绝缘性能。 同时, 它还拥有23安培的最大正向浪涌电流(IFSM), 能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。 这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择, 适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

HIDH04G65C6XKSA1特性

暂无产品特性。

HIDH04G65C6XKSA1应用领域

暂无应用领域。

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