HGTP10N120BN
IC
TO-220AB
可供量大可议
HGTP10N120BN
HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。 它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员
品牌
onsemi
封装
TO-220AB
库存
2
货期
现货
HGTP10N120BN参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
HGTP10N120BN概述
HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。 它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员
HGTP10N120BN特性
暂无产品特性。
HGTP10N120BN应用领域
暂无应用领域。