HGTG12N60A4D
IC
TO-247
可供量大可议
HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS是MOS栅控高压开关器件， 结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。 这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗
品牌
onsemi
封装
TO-247
库存
34
货期
现货
HGTG12N60A4D参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 34 |
HGTG12N60A4D概述
HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS是MOS栅控高压开关器件， 结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。 这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗
HGTG12N60A4D特性
暂无产品特性。
HGTG12N60A4D应用领域
暂无应用领域。