HGTG11N120CND
IC
TO-247AC-3
可供量大可议
HGTG11N120CND
非穿通 (NPT) IGBT 设计， 是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。 IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性， 具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。 适用于许多需要低传导损耗的中高频高压开关应用。
品牌
onsemi
封装
TO-247AC-3
库存
81
货期
现货
HGTG11N120CND参数
| 封装 | TO-247AC-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 81 |
HGTG11N120CND概述
非穿通 (NPT) IGBT 设计， 是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。 IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性， 具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。 适用于许多需要低传导损耗的中高频高压开关应用。
HGTG11N120CND特性
暂无产品特性。
HGTG11N120CND应用领域
暂无应用领域。