HGTD1N120BNS9A
IC
TO-252AA
可供量大可议
HGTD1N120BNS9A
IGBT管/模块 1.2kV 60W NPT(非穿通型) 5.3A TO-252AA
品牌
ON
封装
TO-252AA
库存
1,122
货期
现货
HGTD1N120BNS9A参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.9V@1.0A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 67ns |
| 关断损耗(Eoff) | 90uJ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1,122 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 集电极电流(Ic) | 5.3A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@50uA |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns |
| 导通损耗(Eon) | 70uJ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
HGTD1N120BNS9A概述
IGBT管/模块 1.2kV 60W NPT(非穿通型) 5.3A TO-252AA
HGTD1N120BNS9A特性
暂无产品特性。
HGTD1N120BNS9A应用领域
暂无应用领域。