HGQ024N04A
IC
PDFN5x6-8
可供量大可议
HGQ024N04A
HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 采用高密度沟槽技术制造， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。 其封装形式为PDFN5*6， 符合RoHS标准
品牌
CRMICRO
封装
PDFN5x6-8
库存
4,896
货期
现货
HGQ024N04A参数
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | CRMICRO(华润微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4896 |
HGQ024N04A概述
HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）， 采用高密度沟槽技术制造， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。 其封装形式为PDFN5*6， 符合RoHS标准
HGQ024N04A特性
暂无产品特性。
HGQ024N04A应用领域
暂无应用领域。