HGQ014N04B-G
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
HGQ014N04B-G
HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET， 采用高密度沟槽技术制成， 可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。 该器件适用于负载开关和 PWM 应用。 其封装形式为 PDFN5×6-8L， 符合 RoHS 标准。
品牌
CRMICRO
封装
DFN-8(5x6)
库存
5,107
货期
现货
HGQ014N04B-G参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | CRMICRO(华润微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5107 |
HGQ014N04B-G概述
HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET， 采用高密度沟槽技术制成， 可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。 该器件适用于负载开关和 PWM 应用。 其封装形式为 PDFN5×6-8L， 符合 RoHS 标准。
HGQ014N04B-G特性
暂无产品特性。
HGQ014N04B-G应用领域
暂无应用领域。