HGG040205100N2P
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HGG040205100N2P
此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制, 5V工作电压下稳定可靠, 5.5A峰值电流处理能力强劲, 有效抵御静电冲击。 10pF低电容设计, 确保高速信号无延迟, 是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择, 提升电路抗静电干扰能力, 保障系统运行安全。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
100
货期
现货
HGG040205100N2P参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HGG040205100N2P概述
此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制, 5V工作电压下稳定可靠, 5.5A峰值电流处理能力强劲, 有效抵御静电冲击。 10pF低电容设计, 确保高速信号无延迟, 是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择, 提升电路抗静电干扰能力, 保障系统运行安全。
HGG040205100N2P特性
暂无产品特性。
HGG040205100N2P应用领域
暂无应用领域。
