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HGG040205100N2P
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HGG040205100N2P

此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制, 5V工作电压下稳定可靠, 5.5A峰值电流处理能力强劲, 有效抵御静电冲击。 10pF低电容设计, 确保高速信号无延迟, 是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择, 提升电路抗静电干扰能力, 保障系统运行安全。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

100

货期

现货

HGG040205100N2P参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存100

HGG040205100N2P概述

此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制, 5V工作电压下稳定可靠, 5.5A峰值电流处理能力强劲, 有效抵御静电冲击。 10pF低电容设计, 确保高速信号无延迟, 是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择, 提升电路抗静电干扰能力, 保障系统运行安全。

HGG040205100N2P特性

暂无产品特性。

HGG040205100N2P应用领域

暂无应用领域。

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