HFS10N80-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
HFS10N80-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET产品， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种功率电子应用场景。 TO220F； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
8
货期
现货
HFS10N80-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
HFS10N80-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET产品， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种功率电子应用场景。 TO220F； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
HFS10N80-VB特性
暂无产品特性。
HFS10N80-VB应用领域
暂无应用领域。