HFQPF7N65C

这款N沟道MOSFET提供7A的最大连续排水电流（ID/A）， 并能承受高达650V的漏源电压（VDSS/V）， 适合应用于需要高压保护的电路设计中。 其导通电阻（RDSON）为1200毫欧（mΩ）， 虽然较高， 但在不需要大电流通过的情况下， 仍能有效控制损耗。 支持最大±30V的栅源电压（VGS/V）， 使其能够在各种供电条件下稳定工作。 适用于高压直流转换、消费电子设备中的开关电源及电池保护电路等领域。