HFQD19N10LTM
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HFQD19N10LTM
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID）， 适用于需要大电流处理能力的应用。 其额定漏源电压（VDSS）为100V， 确保了在高压环境下的可靠性能。 导通电阻（RDSON）仅为100毫欧， 有助于在负载条件下保持低发热和高效率。 该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V， 增强了驱动兼容性和灵活性。 适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合， 如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
10
货期
现货
HFQD19N10LTM参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HFQD19N10LTM概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID）， 适用于需要大电流处理能力的应用。 其额定漏源电压（VDSS）为100V， 确保了在高压环境下的可靠性能。 导通电阻（RDSON）仅为100毫欧， 有助于在负载条件下保持低发热和高效率。 该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V， 增强了驱动兼容性和灵活性。 适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合， 如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。
HFQD19N10LTM特性
暂无产品特性。
HFQD19N10LTM应用领域
暂无应用领域。